The Electrical Properties Of Fabricated Pentacene Based Phototransistor With Polystyrene Gate Insulator
Abstract
In this study, the fabrication of top contact pentacene based phototransistor having polystyrene gate dielectric hasbeen carried out. To analyze the surface morphology of polystyrene insulator and pentacene active layer, scanningelectron microscopy (SEM) Bu çalışmada, polistren kapı dielektrikli üst kontak pentasen tabanlı fototransistör imalatı yapılmıştır. Polistren
yalıtkanının ve pentasen aktif tabakanın yüzey morfolojisini analiz etmek için, taramalı elektron mikroskobu
(SEM) kullanılmıştır. Pentas
URI
https://app.trdizin.gov.tr/makale/TXpjNE56Z3pNdz09/the-electrical-properties-of-fabricated-pentacene-based-phototransistor-with-polystyrene-gate-insulatorhttp://dspace.beu.edu.tr:8080/xmlui/handle/20.500.12643/3211
Collections

DSpace@BEU by Bitlis Eren University Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..