Termal buharlaştırma yöntemi ile üretilen n-ZnO/p-Si heteroeklem kontakların elektriksel ve optiksel karakterizasyonu

dc.contributor.author	OZKARTAL, Abdullah
dc.date.accessioned	2024-03-29T06:56:18Z
dc.date.available	2024-03-29T06:56:18Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.issn	2147-3129
dc.identifier.uri	http://dspace.beu.edu.tr:8080/xmlui/handle/123456789/14669
dc.description.abstract	Bu çalışmada, n-ZnO ince filmi hem p-Si yarıiletkeni ve hem de mikroskop camı üzerinde termal buharlaştırma yöntemi ile üretildi. n-ZnO ince filmler, UV-Vis spektroskopisi, X-ışını kırınımı (XRD) ve enerji dağılımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) ile incelendi. n-ZnO/p-Si diyotların elektriksel özellikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile belirlendi. Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnci (Rs), I-V ve C-V ölçümlerinden ve Cheung fonksiyonlarından hesaplandı. Ayrıca n-ZnO/p-Si diyotların fotodiyot özellikleri 100 mW/cm2 ve AM 1.5 aydınlatma altında incelendi.	tr_TR
dc.language.iso	Turkish	tr_TR
dc.publisher	Bitlis Eren Üniversitesi	tr_TR
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	tr_TR
dc.subject	Fotodiyot, n-ZnO/p-Si heteroeklem kontak, ZnO ince film, termal buharlaştırma.	tr_TR
dc.title	Termal buharlaştırma yöntemi ile üretilen n-ZnO/p-Si heteroeklem kontakların elektriksel ve optiksel karakterizasyonu	tr_TR
dc.type	Article	tr_TR
dc.identifier.issue	3	tr_TR
dc.relation.journal	Bitlis Eren Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi	tr_TR
dc.identifier.volume	10	tr_TR