Termal buharlaştırma yöntemi ile üretilen n-ZnO/p-Si heteroeklem kontakların elektriksel ve optiksel karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada, n-ZnO ince filmi hem p-Si yarıiletkeni ve hem de mikroskop camı üzerinde termal buharlaştırma yöntemi ile üretildi. n-ZnO ince filmler, UV-Vis spektroskopisi, X-ışını kırınımı (XRD) ve enerji dağılımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) ile incelendi. n-ZnO/p-Si diyotların elektriksel özellikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile belirlendi. Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnci (Rs), I-V ve C-V ölçümlerinden ve Cheung fonksiyonlarından hesaplandı. Ayrıca n-ZnO/p-Si diyotların fotodiyot özellikleri 100 mW/cm2 ve AM 1.5 aydınlatma altında incelendi.