Doğal Oksit Arayüzey Tabakalı Zr/P-Si Schottky Diyotlarının Yüksek Frekanslarda Kapasite-Gerilim Ve Iletkenlik-Gerilim Karakteristiklerinin Analizi

Abstract

Manyetik saçtırma yöntemiyle imal edilen Zr/SiO2/p-Si Schottky diyotların kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) veiletkenlik-gerilim-frekans (G-V-f) ölçümleri 500 kHz- 3 MHz aralığında 5 farklı frekansta ve oda sıcaklığındaalınmıştır. 1 MHz frekans için C-V ka

Capacitance-voltage-frequency (C-V-f) and conductance-voltage-frequency (G-V-f) measurements of Zr/SiO2/pSi Schottky diodes produced by magnetic sputtering technique were taken for five different frequencies (500 kHz3 MHz frequencies range) at room temper