Ni/n-GaAs ve NiO/n-GaAs Diyotların Elektriksel Parametreleri Arasındaki İlişki

Abstract

Bu çalışmada, Ni/n-GaAs Schottky ve p-NiO/n-GaAs heteroeklem diyotları termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmiştir. Üretilen numunelerin elektriksel özellikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnci (Rs), I-V ve C-V ölçümlerinden ayrı ayrı hesaplanmıştır. Ayrıca Cheung fonksiyonları yardımıyla da n, Фb ve Rs hesaplanarak sonuçların kararlılığı tespit edilmiştir. Schottky diyot yapısının, p-n diyot yapısından daha iyi idealite faktörüne ve daha düşük engel yüksekliğine sahip olduğu belirlenmiştir.