Bitei Kristalinde Spin-Yörünge Yarılmasının Gerinim Ile Değişimi

dc.contributor.author	Kiliç Güler, Sümeyra
dc.contributor.author	Kiliç, Çetin
dc.date.accessioned	2021-12-15T10:46:28Z
dc.date.available	2021-12-15T10:46:28Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier.issn	2147-3129
dc.identifier.issn	2147-3188
dc.identifier.uri	https://app.trdizin.gov.tr/makale/TXpjNU16WTVPUT09/bitei-kristalinde-spin-yorunge-yarilmasinin-gerinim-ile-degisimi
dc.identifier.uri	http://dspace.beu.edu.tr:8080/xmlui/handle/20.500.12643/3196
dc.description.abstract	BiTeI kristalinin elektronik bant yapısında, güçlü spin-yörünge etkileşmesi Rashba tipi spin ayrışmasına yolaçmaktadır. Bu nedenle, dar bant aralıklı bir yarıiletken olan BiTeI potansiyel bir spintronik malzeme olarak ilgiçekmektedir. Bu makalede, BiTeI’d
dc.description.abstract	In the electronic band structure of the BiTeI crystal, strong spin-orbit interaction leads to Rashba-type spin splitting. For this reason, BiTeI, a narrow band gap semiconductor, attracts attention as a potential spintronic material. In this article, it
dc.language.iso	Turkish
dc.source	Bitlis Eren Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi
dc.title	Bitei Kristalinde Spin-Yörünge Yarılmasının Gerinim Ile Değişimi
dc.identifier.issue	1
dc.identifier.startpage	19
dc.identifier.endpage	25
dc.identifier.volume	8

Files in this item

Files	Size	Format	View
There are no files associated with this item.