Ni/n-GaAs ve NiO/n-GaAs Diyotların Elektriksel Parametreleri Arasındaki İlişki

dc.contributor.author	ÖZKARTAL, Abdullah
dc.contributor.author	THAER NOORİ, Dheyab
dc.date.accessioned	2024-03-22T12:54:42Z
dc.date.available	2024-03-22T12:54:42Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.issn	2147-3129
dc.identifier.uri	http://dspace.beu.edu.tr:8080/xmlui/handle/123456789/14592
dc.description.abstract	Bu çalışmada, Ni/n-GaAs Schottky ve p-NiO/n-GaAs heteroeklem diyotları termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmiştir. Üretilen numunelerin elektriksel özellikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnci (Rs), I-V ve C-V ölçümlerinden ayrı ayrı hesaplanmıştır. Ayrıca Cheung fonksiyonları yardımıyla da n, Фb ve Rs hesaplanarak sonuçların kararlılığı tespit edilmiştir. Schottky diyot yapısının, p-n diyot yapısından daha iyi idealite faktörüne ve daha düşük engel yüksekliğine sahip olduğu belirlenmiştir.	tr_TR
dc.language.iso	Turkish	tr_TR
dc.publisher	Bitlis Eren Üniversitesi	tr_TR
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	tr_TR
dc.subject	Ni/GaAs Schottky diyot,	tr_TR
dc.subject	NiO/n-GaAs,	tr_TR
dc.subject	NiO ince film,	tr_TR
dc.subject	termal buharlaştırma	tr_TR
dc.title	Ni/n-GaAs ve NiO/n-GaAs Diyotların Elektriksel Parametreleri Arasındaki İlişki	tr_TR
dc.type	Article	tr_TR
dc.identifier.issue	2	tr_TR
dc.identifier.volume	10	tr_TR