Manyetik saçtırma yöntemiyle imal edilen Zr/SiO2/p-Si Schottky diyotların kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) ve iletkenlik-gerilim-frekans (G-V-f) ölçümleri 500 kHz- 3 MHz aralığında 5 farklı frekansta ve oda sıcaklığında ...